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果博东方品牌厂商WST2339

WST2339

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P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A

 

中文数据手册

产物信息

规格参数

产物分类

MOSFETs

晶体管

FET设置装备摆设(电路范例)

P沟道

漏源击穿电压V(BR)dss

20V

漏极电流(Id, 延续)

7.1A(Tc)

导通电阻 Rds(on)

17毫欧

阈值电压Vgs(th)

500mV@250µA

最大耗散功率

1.4W

封装/外壳

SOT-23-3L


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WST2339WINSOKP沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A 当即采办

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WST2339WL1837MODWL1807MODW25Q64JVSSIQ
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