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果博东方品牌厂商A2541WV-2P

A2541WV-2P

采办

规格参数

产物分类

排针

毗连器(Connector)



针脚数

2


排数

1


配接间距

0.100"(2.54mm)


触头材料

黄铜,镍


装置范例

通孔(THT)


额外电流

3A


额外电压

250V


任务温度

-40°C~105°C


封装/外壳

直插



在线采办

型号制作商描写采办
A2541WV-2PCJT间距2.54mm 直插 镀金 2pin 排针 当即采办

利用案例

  • ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,构造为2M字乘8位。它首要是利用ISSI的高机能CMOS手艺制作的。这类高度靠得住的工艺再加上立异的电路设想手艺,出产出高机能优良和低功耗的装备。 当为高电平(打消挑选)或CS...

    2020-06-01
  • IS62WV51216BLL SRAM存储模块 8M Bit SRAM外扩存储 供给测试法式(STM32) 型号 IS62WV51216BLL SRAM Board

    2019-12-30
  • IS62WV12816BLL SRAM存储模块 2M Bit SRAM外扩存储 供给测试法式(STM32) 型号 IS62WV12816BLL SRAM Board

    2019-12-30
  • 顶部咱们能够看到有2根天线,短天线便是这款欧迅WV50公网对讲机的公网天线,也便是对讲机外部SIM卡的天线,实现和电信基站的数据通信,以是只需有手机旌旗灯号的处所,就可以利用公网对讲。

    2019-11-19
  • ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM,构造为1M字乘16位。它是利用ISSI的高机能CMOS手艺制作的。这类高度靠得住的工艺加上立异的电路设想手艺,可出产出高机能和低功耗的装备。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封...

    2020-07-22
  • ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,构造为512K字乘16位。它是利用ISSI的高机能CMOS手艺制作的。这类高度靠得住的工艺加上立异的电路设想手艺,可出产出高机能和低功耗的装备。 当CS1为HIGH(打消挑选)或CS2为LOW(打消...

    2020-03-25
  • ...数字花费者和产业和医疗等市场供给存储器产物。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM,构造为1M字乘16位。它是利用ISSI的高机能CMOS手艺制作的。这类高度靠得住的工艺加上立异的电路设想手艺,可出产出高机能和低功耗的设...

    2020-05-28
  • 关头词:SRAM芯片 , is62wv51216 , SRAM , ISSI代办署理 ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,构造为512K字乘16位。它是利用ISSI的高机能CMOS手艺制作的。这类高度靠得住的工艺加上立异的电路设想手艺,可出产出高机能和低功耗的装备...

    2020-03-18

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